吴红瑛，罗仁，范建中，李川，魏轶.脉冲磁场对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用[J].中华物理医学与康复杂志,2008,(11):
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| 脉冲磁场对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用 |
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| 中文关键词: 脉冲磁场 脑缺血；再灌注损伤；胰岛素生长因子-1 |
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| 中文摘要: |
| 目的观察脉冲磁场对脑缺血再灌注大鼠缺血再灌注损伤的修复、保护作用。 方法SD大鼠48只,随机分成假手术组、模型组和脉冲磁场组,每组16只。采用线栓法制备大鼠局灶性脑缺血模型, 假手术组仅做右侧颈外动脉和颈总动脉结扎，不做右侧大脑中动脉线栓栓塞。脉冲磁场组在造模结束后2 h给予脉冲磁场处理，磁场强度为0～0.01 T，频率为50 Hz，每次20 min，每天1次，连续7 d,处理结束后处死大鼠,断头取脑,采用2,3,5-氯化三苯基四氮唑(TTC)染色观察梗死面积大小，苏木精-伊红染色观察病理组织损伤，用免疫组化方法检测胰岛素样生长因子-1(IGF-1)的表达。 结果脉冲磁场组脑梗死面积较模型组明显减小(P<0.05)，脉冲磁场能改善大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤的病理组织学损害。模型组与假手术组相比,IGF-1的表达增多,脉冲磁场组与模型组相比,IGF-1的表达明显增多(P<0.05)。 结论脉冲磁场能促进脑缺血再灌注大鼠IGF-1的表达，对神经系统具有保护和修复作用。 |
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